Une équipe de recherche sud-coréenne révèle le mécanisme de dégradation de la fiabilité des semi-conducteurs ferroélectriques IA induite par l'irradiation neutronique
L'Université nationale de Jeonbuk a annoncé le 20 que l'équipe du professeur Bae Hak-yeol du département de génie électronique de son école d'ingénierie, en collaboration avec l'équipe du professeur Kim Tae-wan de l'Université nationale de Séoul et la startup Q-Beam Solution, filiale de l'Institut coréen de recherche sur l'énergie atomique, a mené une étude analysant les causes de la dégradation des performances des mémoires ferroélectriques de nouvelle génération et des dispositifs semi-conducteurs neuromorphiques sous irradiation neutronique. Les résultats ont été publiés dans le dernier numéro d'ACS Applied Electronic Materials. Les semi-conducteurs ferroélectriques, capables de maintenir leur état de polarisation même après une coupure de courant, sont considérés comme des candidats importants pour les mémoires non volatiles et les dispositifs de calcul neuromorphique de nouvelle génération. Le calcul neuromorphique tente de réaliser simultanément le stockage et le calcul au sein d'un seul dispositif...
2026-08-20
