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Mot-clé:module de puissance hybride SiC+oxyde de gallium

Hangzhou Puxi Guangjing Semiconductor Technology Co., Ltd. achève un financement de série C de plusieurs centaines de millions de yuans

Hangzhou Puxi Guangjing Semiconductor Technology Co., Ltd. achève un financement de série C de plusieurs centaines de millions de yuans

Récemment, l'entreprise de puces et systèmes de puissance spéciaux pour environnements extrêmes Hangzhou Puxi Guangjing Semiconductor Technology Co., Ltd. (ci-après dénommée « Puxi Guangjing ») a récemment achevé un financement de série C de plusieurs centaines de millions de yuans, avec l'entrée de nouveaux investisseurs incluant Zhejiang Jiahe Changyue, Chengdu Innovation Venture Capital Co., Ltd. (Chengdu Kechuangtou), Shanghai Semiconductor Equipment and Materials Industry Investment Fund, Shandong Caijin Fund, Guizhou Guochuang, etc., soit 10 capitaux d'État et industriels. Selon les informations, les fonds seront orientés vers trois directions : en matière de recherche et développement technologique, pour l'itération des puces en oxyde de gallium de quatrième génération, ainsi que la validation et le développement de modules de puissance hybrides « SiC+oxyde de gallium » ; en matière d'expansion de la capacité de production, pour l'expansion de la capacité de production de modules de puces haute température de niveau 230℃...

2026-09-23

Classement de lecture

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